LD-FPA-320x256分辨率铟镓砷InGaAs探测器
320x256分辨率铟镓砷InGaAs探测器
InGaAs短波焦平面探测器产品应用在近红外成像和光谱技术成像上，包括非制冷型（无TEC）和制冷型（TEC）型。产品应用稳定成熟的工艺，并已实现量产。该产品选用常规封装，便于CCD与CMOS相机集成商的机械设备；集成嵌入式TEC进一步提高了探测器的灵敏度，并通过密闭金属封装来实现其高可靠性。
产品型号
InGaAs面阵探测器的响应波段为900-1700nm/2200nm，目前可提供320x256和640x512阵列。此阵列探测器利用覆晶装订技术可以使其与读出电路紧密结合，同时采用LCC及Kovar气密封装，且表面镀有抗反射膜。我们可以根据客户的需求定制封装不同的产品。
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型号 |
FPA-320×256-C |
FPA-320×256-K-TE1/TE2 |
FPA-320×256-K-2.2-TE2 |
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材料 |
InGaAs |
InGaAs |
InGaAs |
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响应波段 |
0.9um-1.7um |
0.9um-1.7um |
1.2um-2.2um |
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图像分辨率 |
320×256 |
320×256 |
320×256 |
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像元尺寸 |
30um |
30um |
30um |
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靶面尺寸 |
9.6mm×7.68mm |
9.6mm×7.68mm |
9.6mm×7.68mm |
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封装 |
44-pin CLCC |
28-pin MDIP |
28-pin MDIP |
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重量 |
1.6g |
24.6g/25.6g |
24.6g |
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有效像元率 |
>99.5% |
>99% |
>97% |
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暗电流 |
<0.4pA |
≤0.4pA |
≤10pA |
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量子效率 |
≥70% |
≥70% |
≥70% |
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填充率 |
＞99% |
＞99% |
＞99% |
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串扰 |
＜1% |
＜1% |
/ |
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探测率 |
≥5×1012J |
≥5×1012J (TE1) ≥7.5×1012J(TE2) |
≥1×1012J |
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响应非均匀性 |
≤10% |
≤10% |
≤40% |
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非线性(z大偏差) |
≤2% |
≤2% |
≤2% |
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z大像素率 |
10MHz |
10MHz |
10MHz |
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增益 |
High:13.3uV/e- Low:0.7 uV/e- |
High:13.3uV/e- Low:0.7 uV/e- |
High:13.3uV/e- Low:0.7 uV/e- |
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满阱容量 |
High:170Ke- Low:3.5Me- |
High:170Ke- Low:3.5Me- |
High:170Ke- Low:3.5Me- |
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TEC 制冷 |
无 |
TE1/TE2 |
TE1/TE2 |
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工作温度 |
-20℃—85℃ |
-20℃—85℃ |
-20℃—85℃ |
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储存温度 |
-40℃—85℃ |
-40℃—85℃ |
-40℃—85℃ |
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功耗 |
175mw |
175mw** |
175mw** |
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